SDK’s 6” SiC Epitaktische Wafer für Leistungselektronik erhält Grand Prix Preis

04/06/2014

Showa Denko (SDK) (TOKYO: 4004) erhält für seine 6 Inch Siliziumkarbid Wafer (SiC) für Leistungselektronik den Semiconductor Industry News Preis für „Halbleiter des Jahres 2014 Grand Prix“ in der Kategorie Elektronische Materialien für Halbleiter.

 

Der Preis deckt drei Kategorien ab: Halbleiterprodukte, Ausstattung für Halbleiterproduktion und elektronische Materialien für Halbleiter. Aus den zwischen April 2013 und März 2014 angekündigten Produkten wurde ein Grand Prix und zwei herausrangede Leistung Preise vergeben in jeder Kategorie. Die Kriterien für die Auswahl beinhalteten Neuheit der Entwicklung, Einrichtung eines Massenproduktionssystems, Einfluss auf die Gesellschaft und Zukunftsaussichten für Erfolg.

Verglichen mit konventionellen Silizium basierten Halbleiter, können SiC basierte Elektronikprodukte die SiC epitaktische Wafer benutzen unter hohen Temperaturen und unter Hochspannung arbeiten, während Energieverlust erheblich reduziert wird. Diese Besonderheiten ermöglichen die Produktion von kleineren und energieeffizienteren Stromsteuerungsmodulen. SiC Power Devices werden zunehmend als Leistungsquelle für Server in Datenzentren, in Stromversorgungssystemen für neue Energien und Untergrundschienenfahrzeugen verwendet.

Kristalldefekte in unseren 6 Inch SiC epitaktischen Halbleiterscheiben sind auf ein Maß begrenzt, wie es in konventionellen 4 Inch großen SiC eptiaktischen Wafern vorkommt. In Bezug auf Produktqualität und Kosten erfüllen die 6 Inch SiC epitaktischen Wafer die Bediungen für eine Verwendung in Starkstrom SiC basierten Produkten für Umwandler in Autos. Eine steigende Nachfrage nach SiC basierter Leistungselektronik für den Einsatz in Hybrid- und Elektrofahrzeugen wird für 2020 erwartet. SDK unternimmt auch weiterhin Anstrengungen, um die Produktqualität und Produktionskapazität zu steigern und dadurch einer Verbreitung der SiC Produkten zu verhelfen.