SDK erhöht Produktionskapazität von SiC epitaktischen Wafern um das 2,5-fache

18/09/2012

Showa Denko K.K. (SDK) erhöht die Produktionskapazität seiner vier Zoll Siliziumkarbid (SiC) epitaktischen Wafer um das 2,5-fache. Anlagenerweiterungen sowie Verbesserungen in der Produktionstechnologie lassen die monatliche Ausbringung auf 1500 Einheiten pro Monat steigen. Diese epitaktischen Wafer mit hoher Oberflächenglätte und geringen Kristalldefekten werden in SDK’s Chichibu Werk (Saitama Präfektur, Japan) hergestellt.

Verglichen mit den durchschnittlichen Silizum basierten Halbleitern, können Bauelemente, die auf diesen SiC epitaktischen Wafer basieren, unter Hochspannung und Starkstrom auch bei hohen Temperaturen arbeiten. Dieses Merkmal ermöglicht Reduktionen in der Anzahl von Komponenten als auch Miniaturisierung von Kühlelementen. Leistungsregelungsmodule können so kleiner und leichter gebaut werden. SiC Leistungselemente verringern auch den Energieverlust im Prozess der Leistungsregelung, was zu einer erheblichen Energieeinsparung führt.

Daher finden SiC Leistungselemente breite Anwendung, inklusive der Anwendung in Automobilen, Schienefahrzeuge sowie Elektronikanwendungen in Industrie und Haushalt. Insbesondere erwartet man einen allgemeine Zunahme der Nutzung von SiC Leistungselementen in Wechselrichtern (Wechselrichter wandeln Gleichstrom in Wechselstrom), um die Drehbewegung von Motoren zu steuern. Solche Wechselrichter werden bereits kommerziell in einigen Haushaltsgeräten und verteilten Energieversorgungssystemen eingesetzt, sowie versuchsweise auch bei Untergrundschienenfahrzeugen. Zudem ist zu erwarten, dass mehr und mehr Fahrzeuge und Hybridautos auch mit solchen SiC basierten Wechselrichtern ausgestattet werden.

Die genannten Wechselrichter beinhalten sogenannte Schottky-Barrier-Dioden unnd Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistzoren (MOSFET), die auf SiC Bauelemente basieren. SiC MOSFET verlangt eine hohe Oberflächenglätte, da der auf der Oberfläche der Wafer sich bildende Oxidfilm während des Arbeitsprozesses des Leistungselementes genutzt wird. SDK’s epitaktische Wafer werde gerade für diese hohe Oberflächenglätte sehr geschätzt.

Im Zuge der Produktionsausweitung wird sich SDK auch weiterhin mit der Enwticklung von SiC epitaktischen Wafern beschäftigen, die einen größeren Durchmesser, gerineren Defekt und höhere Konformität aufweisen. Insbesondere wird SDK die Entwicklung der sechs Zoll SiC wafer für Starkstrom und HOchspannungsanwendungen beschleunigen.

 

SiCepiwafer

Äußeres Erscheiungsbild von SiC epitaktischen Wafern

Cookie-Einstellung

Bitte treffen Sie eine Auswahl. Weitere Informationen zu den Auswirkungen Ihrer Auswahl finden Sie unter Hilfe.

Treffen Sie eine Auswahl um fortzufahren

Ihre Auswahl wurde gespeichert!

Hilfe

Hilfe

Um fortfahren zu können, müssen Sie eine Cookie-Auswahl treffen. Nachfolgend erhalten Sie eine Erläuterung der verschiedenen Optionen und ihrer Bedeutung.

  • Alle Cookies zulassen:
    Jedes Cookie wie z.B. Tracking- und Analytische-Cookies.
  • Nur First-Party-Cookies zulassen:
    Nur Cookies von dieser Webseite.
  • Keine Cookies zulassen:
    Es werden keine Cookies gesetzt, es sei denn, es handelt sich um technisch notwendige Cookies.

Sie können Ihre Cookie-Einstellung jederzeit hier ändern: Datenschutz. Impressum/ISO Quality policy

Zurück