SDK erweitert seine Produktionskapazitäten der 6” SiC epitaktischen Wafer für Leistungselektronik

08/10/2014

Showa Denko (SDK) (TOKYO: 4004) steigert seine Kapazitäten zur Produktion von epitaktischen Wafern aus Siliziumkarbid (SiC) mit einem Durchmesser von 6 Inch (150 mm) für den Gebrauch in Leistungselektronik von 400 auf 1.100 Einheiten pro Monat.  Daraus resultierend hat SDK seine gesamte Produktionskapazität für SiC epitaktische Halbleiterscheiben der Größe 4 Inch von 1.500 auf 2.500 Einheiten pro Monat gesteigert, was eine Produktionssteigerung von 60 Prozent bedeutet. Ab Oktober dieses Jahres wird SDK beginnen eine neue Type der SiC epitaktischen Wafer zu verschiffen, die weniger Defekte und eine höhere Gleichmäßigkeit aufweisen.

 

Im Vergleich mit herkömmlichen siliziumbasierten Halbleitern kann Leistungselektronik mit SIC epitaktischen Wafern bei relativ hohen Temperaturen, hoher Spannung und Starkstrom eingesetzt werden und Energieverluste vermindern. Durch diese Eigenschaften werden SiC epitaktische Wafer als neue Generation in der Leistungselektronik angesehen und sind zielweisend für die Produktion von kleineren, leichteren und effizienteren Leistungssteuerungsmodulen.  SiC Leistungselektronik wird bereits in Wechselrichtern, als Energiequelle für Server in Datenzentren, in dezentralen Stromversorgungssystemen für erneuerbare Energien und in Untergrundschienenfahrzeugen eingesetzt. Des Weiteren haben einige Automobilproduzenten und ihre Lieferanten angekündigt, SiC Leistungselektronik-Wechselrichter für Elektro- sowie Hybridfahrzeuge zu verwenden.
Diese Entwicklungen lassen eine steigende Nachfrage nach SiC Leistungselektronik erwarten.

 

Bisher hat SDK SiC epitaktische Wafer in einer Größe von 3 (76,2 mm), 4 und 6 Inch produziert und verkauft. Um die Versorgung mit 6 Inch Wafern zu steigern, welche die Produktivität der Hersteller von Leistungselektronik verbessern können, setzt SDK nun zusätzliche Ausrüstung für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ein, die für die Produktion aller SiC Wafer Größen verwendet werden kann. CVD verbessert die Produktivität von SiC epitaktischen Wafern um 30 Prozent und hilft die Produktionskosten weiter zu senken.

 

SiC epitaktische Wafer mit Durchmessern von 6, 4 und 3 Inch (von links nach rechts)

SiC epitaktische Wafer mit Durchmessern von 6, 4 und 3 Inch (von links nach rechts)

 

SiC basierte Leistungselektronikmodule, die für Autos, Energieproduktion, Stromübertragung und Hochgeschwindigkeitszüge verwendet werden, können auch größeren Stromstärken widerstehen. Der Markt für SiC Leistungssteuerungsmodule verspricht daher Wachstum in der nahen Zukunft. Anlässlich dieser Nachfrage ist eine Vergrößerung der SiC Chips nötig. Um ein Absinken der Profitraten bei der Produktion von größeren SiC Chips aus epitaktischen Wafern zu verhindern, wird SDK im Oktober mit dem Verkauf einer neuen SiC Wafer Type mit weniger Unregelmäßigkeiten in der Oberfläche* beginnen. Die Produkte der neuen Type wird unseren Kunden eine Verbesserung der Profitrate um 10 Prozent bei der Produktion von großen SiC Chips für die oben genannten Anwendungsfelder bringen.**

 

Die Marktgröße von SiC Leistungselektronik soll bis 2020 voraussichtlich auf 30 Milliarden Yen jährlich wachsen. SDK wird auch weiterhin bemüht sein, die Marktanforderungen hinsichtlich der Qualität zu erfüllen und zur Vergrößerung des Leistungselektronikmarktes beitragen.

 

* Die Defektrate beträgt 0,5 Defekte/cm² bei derzeitigen Wafern gegenüber 0,25 Defekte/cm² bei der neuen Generation.

** Dies ist ein Schätzwert für die Produktion von größeren SiC Chips im Bereich von 7 bis 10 mm².

 

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